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****年**(至)**月
政府采购意向
为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔****〕**号)等有关规定,现将
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****年
**(至)**
月采购意向公开如下:
序号
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采购项目名称
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采购需求概况
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预算金额
(*元)
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预计采购时间
(填写到月)
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备注
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1
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****光刻机采购项目
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项目概况:
拟采购设备:光刻机,主要用途:半导体器件光刻。
性能指标、技术要求:
1.曝光类型:单面;
2.曝光面积:110×110mm;
3.曝光照度不均匀性:≤3%;*
4.曝光强度:≥40mw/cm2可调;*
5.紫外光束角:≤3?;
6.紫外光中心波长:365nm;
7.紫外光源寿命:≥2万小时;
8.曝光分辨率:1μm;
9.曝光模式:具有一次曝光,套刻曝光功能;具有自动吸片及解除吸片功能;*
10.显微镜整体无极扫描范围:X:±40mm Y:±35mm;*
11.对准范围:X、Y粗调±3mm,细调±0.3mm;Q粗调±15°,细调±3°;
12.套刻精度:1μm;*
13.分离量;0~50μm无极可调;* 14.接触-分离漂移:≤1μm; 15.曝光方式:密着曝光,可实现硬接触、软接触和微力接触曝光; 16.找平方式:三点式全自动找平;运动间隙自动消除* 17.显微系统:双视场CCD系统,显微镜45X~300X连续变倍(物镜0.75X~5X
连续变倍),双物镜距离可调范围11mm~100mm,*,工业计算机图像处理系统,*,19″液晶监视器;
18.掩模版尺寸:3″×3″、4″×4″、5″×5″; 19.基片尺寸:φ2、φ3、φ4、“碎片”;
20.基片厚度:≤5 mm; 21.曝光定时:0~999.9秒可调; 22.对准方式:切斯曼对准机构无极调整。* 23.曝光头气动转位:* 24. 电源:单相AC220V 50HZ ,功耗≤1KW; 25.洁净空气压力:≥0.4MPa; 26.无油真空泵真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;
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****年**月
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本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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****年**月**日
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